ipw60r037csfd mosfet-ag凯发旗舰厅

ipw60r037csfdcoolmos超结mosfet是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低栅电荷（qg）和改进的开关行为，它在目标市场提供了最高的效率。除此之外，它还配备了集成的快体二极管，大大减少了反向恢复电荷（qrr），从而使谐振拓扑具有最高的可靠性。由于这些特点，ipw60r037csfd符合非车载电动汽车充电站市场的效率和可靠性标准，并进一步支持高功率密度凯发k8官网登录vip的解决方案。

特征描述

超快体二极管

1流的反向恢复费用（qrr）

改进的反向二极管dv/dt和dif/dt耐用性

最低fom rds（开）x qg和eoss

1流的rds（on）/软件包组合

优势

电动汽车充电应用的最佳效率

实现更高的功率密度

最高可靠性水平

可以选择正确的rds（on）包组合

潜在应用

电动汽车充电-优化相移全桥（zvs），llc和pfc应用。适用于软、硬交换拓扑。

parametrics ipw60r037csfd

id (@25°c)   max 25.0 a

id   max 25.0 a

idpuls   max 236.0 a

mounting tht

operating temperature   min  max -55.0 °c   150.0 °c

ptot   max 245.0 w

package to-247

pin count 3.0 pins

polarity n

qg 136.0 nc

qg (typ @10v) 136.0 nc

rds (on)   max 37.0 mω

rds (on) (@10v)   max 37.0 mω

vds   max 600.0 v

vgs(th)   min  max 3.5 v   4.5 v